什么是場效應(yīng)_什么是場效應(yīng)管工作原理
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華軒陽取得一種場效應(yīng)管引腳成型裝置專利,能夠?qū)崿F(xiàn)不同規(guī)格的引腳...金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市華軒陽電子有限公司取得一項名為“一種場效應(yīng)管引腳成型裝置”的專利,授權(quán)公告號CN 222077867 U,申請日期為2024年4月。專利摘要顯示,本實用新型公開了一種場效應(yīng)管引腳成型裝置,涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體好了吧!
固得沃克申請 MOS 場效應(yīng)管柵極驅(qū)動專利,提高了驅(qū)動信號的功率傳輸...金融界2024 年12 月2 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市固得沃克電子有限公司申請一項名為“MOS 場效應(yīng)管柵極驅(qū)動方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利,公開號CN 119051642 A,申請日期為2024 年10 月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及MOS 場效應(yīng)管技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種M等我繼續(xù)說。
安建科技取得場效應(yīng)管器件專利,能夠?qū)崿F(xiàn)更小的元胞尺寸金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安建科技有限公司取得一項名為“一種場效應(yīng)管器件”的專利,授權(quán)公告號CN 222071952 U,申請日期為2024年2月。專利摘要顯示,一種場效應(yīng)管器件,本實用新型涉及于功率半導(dǎo)體器件,為克服現(xiàn)有的問題,通過在器件內(nèi)設(shè)置第一區(qū)域等我繼續(xù)說。
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華為申請一種場效應(yīng)晶體管專利,改善在 MOS 管由于金屬硅化物側(cè)向...金融界2024 年10 月29 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種場效應(yīng)晶體管、制備方法及電子設(shè)備”的專利,公開號CN 118825053 A,申請日期為2023 年4 月。專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種場效應(yīng)晶體管、制備方法及電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體等我繼續(xù)說。
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宏達電子新注冊《場效應(yīng)晶體管MOSFE控制系統(tǒng)V1.0》項目的軟件...證券之星消息,近日宏達電子(300726)新注冊了《場效應(yīng)晶體管MOSFE控制系統(tǒng)V1.0》項目的軟件著作權(quán)。今年以來宏達電子新注冊軟件著作權(quán)12個。結(jié)合公司2024年中報財務(wù)數(shù)據(jù),2024上半年公司在研發(fā)方面投入了6576.46萬元,同比減13.85%。數(shù)據(jù)來源:企查查以上內(nèi)容為證券之星等我繼續(xù)說。
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中國振華集團永光電子取得場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu)專利,...金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠)取得一項名為“一種場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu)”的專利,授權(quán)公告號CN 222071945 U,申請日期為2023年12月。專利摘要顯示,一種場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu),屬小發(fā)貓。
智芯微電子取得橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管相關(guān)專利金融界2024年11月30日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,北京智芯微電子科技有限公司取得一項名為“橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管、制作方法、芯片及電路”的專利,授權(quán)公告號CN 118610266 B,申請日期為2024年8月。
至信微電子取得 AOT 場效應(yīng)管制備方法及 AOT 場效應(yīng)管專利金融界2024 年11 月27 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市至信微電子有限公司取得一項名為“AOT 場效應(yīng)管制備方法及AOT 場效應(yīng)管”的專利,授權(quán)公告號CN 115410921 B,申請日期為2022 年9 月。
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合肥晶合申請鰭式場效應(yīng)管及其制備方法專利,提高鰭式場效應(yīng)管的...金融界2024年10月29日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“鰭式場效應(yīng)管及其制備方法”的專利,公開號CN 118825079 A,申請日期為2024年9月。專利摘要顯示,本公開涉及一種鰭式場效應(yīng)管及其制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述鰭式場效小發(fā)貓。
上海積塔半導(dǎo)體申請場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件專利,...金融界2024年10月29日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件”的專利,公開號CN 118825074 A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本公開涉及一種場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件,包括:襯底,襯底是什么。
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