成人网站免费大全日韩国产 ,美女吹潮喷水在线播放的视频,亚洲美洲韩美在线观看,无码av不卡免费播放

什么是場效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨

 ̄□ ̄||

華軒陽取得一種場效應(yīng)管引腳成型裝置專利,能夠?qū)崿F(xiàn)不同規(guī)格的引腳...金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市華軒陽電子有限公司取得一項名為“一種場效應(yīng)管引腳成型裝置”的專利,授權(quán)公告號CN 222077867 U,申請日期為2024年4月。專利摘要顯示,本實用新型公開了一種場效應(yīng)管引腳成型裝置,涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體等會說。

固得沃克申請 MOS 場效應(yīng)管柵極驅(qū)動專利,提高了驅(qū)動信號的功率傳輸...金融界2024 年12 月2 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市固得沃克電子有限公司申請一項名為“MOS 場效應(yīng)管柵極驅(qū)動方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利,公開號CN 119051642 A,申請日期為2024 年10 月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及MOS 場效應(yīng)管技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種M是什么。

∩ω∩

∩^∩

安建科技取得場效應(yīng)管器件專利,能夠?qū)崿F(xiàn)更小的元胞尺寸金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安建科技有限公司取得一項名為“一種場效應(yīng)管器件”的專利,授權(quán)公告號CN 222071952 U,申請日期為2024年2月。專利摘要顯示,一種場效應(yīng)管器件,本實用新型涉及于功率半導(dǎo)體器件,為克服現(xiàn)有的問題,通過在器件內(nèi)設(shè)置第一區(qū)域等我繼續(xù)說。

合肥晶合申請鰭式場效應(yīng)管及其制備方法專利,提高鰭式場效應(yīng)管的...金融界2024年10月29日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“鰭式場效應(yīng)管及其制備方法”的專利,公開號CN 118825079 A,申請日期為2024年9月。專利摘要顯示,本公開涉及一種鰭式場效應(yīng)管及其制備方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述鰭式場效后面會介紹。

ˇ▂ˇ

四川長虹取得避免極限雷擊時場效應(yīng)管失效的開關(guān)電路專利,實現(xiàn)場...金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,四川長虹電器股份有限公司取得一項名為“一種避免極限雷擊時場效應(yīng)管失效的開關(guān)電路”的專利,授權(quán)公告號CN 222072991 U,申請日期為2024年1月。專利摘要顯示,本申請涉及開關(guān)電路技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種避免極限雷擊時場效應(yīng)后面會介紹。

至信微電子取得 AOT 場效應(yīng)管制備方法及 AOT 場效應(yīng)管專利金融界2024 年11 月27 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市至信微電子有限公司取得一項名為“AOT 場效應(yīng)管制備方法及AOT 場效應(yīng)管”的專利,授權(quán)公告號CN 115410921 B,申請日期為2022 年9 月。

∩0∩

+▂+

深圳市至信微電子取得DP場效應(yīng)管制備方法及DP場效應(yīng)管專利金融界2024年11月22日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市至信微電子有限公司取得一項名為“DP場效應(yīng)管制備方法及DP場效應(yīng)管”的專利,授權(quán)公告號CN 115376922 B,申請日期為2022年8月。

強華時代申請改善柵極電場的碳化硅場效應(yīng)管器件專利,解決碳化硅場...金融界2024年11月15日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,強華時代(成都)科技有限公司申請一項名為“一種改善柵極電場的碳化硅場效應(yīng)管器件”的專利,公開號CN 118943195 A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種改善柵極電場的碳化硅場效應(yīng)管器件,屬于半導(dǎo)體器后面會介紹。

>▽<

重慶恩瑞實業(yè)申請大電流場效應(yīng)管封裝裝置及其方法專利,具有高效...金融界2024年11月11日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,重慶恩瑞實業(yè)有限公司申請一項名為“一種大電流場效應(yīng)管的封裝裝置及其方法”的專利,公開號CN 118919494 A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種大電流場效應(yīng)管的封裝裝置及其方法,涉及大電流場效應(yīng)管等我繼續(xù)說。

深圳市思遠半導(dǎo)體取得場效應(yīng)管相關(guān)專利,兼顧場效應(yīng)管的打開速度和...金融界2024 年9 月6 日消息,天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,深圳市思遠半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“場效應(yīng)管的開關(guān)電路、控制方法及芯片“授權(quán)公告號CN117155366B,申請日期為2023 年1 月。專利摘要顯示,本發(fā)明實施例公開了場效應(yīng)管的開關(guān)電路、控制方法及芯片,其中,開關(guān)電路小發(fā)貓。

˙▽˙

原創(chuàng)文章,作者:天津 互動多媒體展廳設(shè)計,數(shù)字化展廳一站式解決方案,如若轉(zhuǎn)載,請注明出處:http://www.heibs.com/alduosgp.html

發(fā)表評論

登錄后才能評論