自動(dòng)化設(shè)備導(dǎo)入計(jì)劃_自動(dòng)化設(shè)備導(dǎo)軌廠家
消息稱臺(tái)積電在美先進(jìn)封裝 2028 年動(dòng)工,導(dǎo)入 SoIC、CoPoS 技術(shù)IT之家7 月14 日消息,臺(tái)媒MoneyDJ 理財(cái)網(wǎng)本月9 日?qǐng)?bào)道稱,臺(tái)積電在美二期投資中的重頭項(xiàng)目:TSMC Arizona 的兩座先進(jìn)封裝設(shè)施目標(biāo)于2028 年動(dòng)工,分別計(jì)劃導(dǎo)入SoIC 和CoPoS 技術(shù)。這兩座先進(jìn)封裝廠地理上將毗鄰擁有N2 / A16 節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能的TSMC Arizona 第三晶圓廠。其中首還有呢?
三星緊抓 2nm:美國(guó)廠考慮明年初導(dǎo)入設(shè)備、資源從 1.4nm 集中據(jù)悉該廠原計(jì)劃實(shí)施4nm 工藝,但根據(jù)市場(chǎng)狀況調(diào)整為2nm。由于先進(jìn)制程成熟度不足的緣故,三星此前多次推遲該項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度;但泰勒晶圓廠的潔凈室裝修工作已于今年二季度重啟,將于今年底竣工,而潔凈室建設(shè)完畢是設(shè)備導(dǎo)入的前置工序。而另一家韓媒SEDaily 則宣稱,三星電子為是什么。
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興森科技:已投入資源進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備的驗(yàn)證工作中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展,興森科技很早就有先見之明布局了半導(dǎo)體領(lǐng)域中的FCBGA封裝載板,目前我們興森有嘗試國(guó)產(chǎn)的ABF膜產(chǎn)品驗(yàn)證試產(chǎn)嗎?公司回答表示:公司有投入資源配合客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備的驗(yàn)證工作,后續(xù)將根據(jù)客戶的計(jì)劃以及供應(yīng)商的技術(shù)能力確定導(dǎo)入計(jì)劃。
興森科技:投入資源配合客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備的驗(yàn)證工作材料,興森科技目前有聯(lián)合國(guó)內(nèi)ABF膜廠商開展小批量驗(yàn)證試制嗎?目前國(guó)產(chǎn)ABF膜驗(yàn)證前景是否朝積極樂觀方向在發(fā)展?謝謝!公司回答表示:公司有投入資源配合客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備的驗(yàn)證工作,后續(xù)將根據(jù)客戶的計(jì)劃以及供應(yīng)商的技術(shù)能力確定導(dǎo)入計(jì)劃。本文源自金融界AI電報(bào)
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興森科技:配合客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備驗(yàn)證工作有投資者在互動(dòng)平臺(tái)向興森科技提問:興森科技與晶化科技合作研發(fā)ABF薄膜這個(gè)信息屬實(shí)嗎?謝謝!公司回答表示:尊敬的投資者,您好!公司有配合客戶進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化材料和設(shè)備的驗(yàn)證工作,材料供應(yīng)商主要由客戶指定,后續(xù)將根據(jù)客戶的計(jì)劃以及供應(yīng)商的技術(shù)能力確定導(dǎo)入計(jì)劃。感謝您的關(guān)是什么。
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佳禾智能:已著手布局手機(jī)等新業(yè)務(wù)領(lǐng)域,新客戶導(dǎo)入和廠房改造工作已...金融界9月24日消息,有投資者在互動(dòng)平臺(tái)向佳禾智能提問:您好,公司是否有通訊板塊的相關(guān)業(yè)務(wù)?目前一帶一路方面的業(yè)務(wù)布局進(jìn)展如何?謝謝!公司回答表示:公司已著手布局手機(jī)(手持終端設(shè)備)等新業(yè)務(wù)領(lǐng)域,目前已經(jīng)完成新客戶導(dǎo)入和廠房改造等工作,后續(xù)量產(chǎn)工作在按計(jì)劃有序推進(jìn)。
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消息稱三星電子因向大客戶英偉達(dá)供應(yīng)延遲調(diào)減 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃以回應(yīng)主要對(duì)手SK 海力士的增產(chǎn)計(jì)劃。然而三星的HBM3E 內(nèi)存未能如期通過(guò)英偉達(dá)質(zhì)量測(cè)試,三星電子因此放緩導(dǎo)入HBM 生產(chǎn)所需設(shè)備,將追加投資的可能時(shí)機(jī)推遲至確認(rèn)向英偉達(dá)量產(chǎn)供應(yīng)后。這最終導(dǎo)致整體理論產(chǎn)能出現(xiàn)下滑??紤]到HBM 內(nèi)存產(chǎn)能有限但需求強(qiáng)勁,三星電子的擴(kuò)是什么。
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消息稱三星確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm 內(nèi)存投資,目標(biāo)明年六月投運(yùn)三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤P4 工廠建設(shè)1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,該產(chǎn)線目標(biāo)明年6 月投入運(yùn)營(yíng)。平澤P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為DRAM 內(nèi)存。三星已在P4 一期導(dǎo)入DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,但擱置后面會(huì)介紹。
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