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什么是場效應(yīng)晶體管_什么是場效應(yīng)管制造商

華為申請一種場效應(yīng)晶體管專利,改善在 MOS 管由于金屬硅化物側(cè)向...金融界2024 年10 月29 日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華為技術(shù)有限公司申請一項名為“一種場效應(yīng)晶體管、制備方法及電子設(shè)備”的專利,公開號CN 118825053 A,申請日期為2023 年4 月。專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種場效應(yīng)晶體管、制備方法及電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體后面會介紹。

宏達電子新注冊《場效應(yīng)晶體管MOSFE控制系統(tǒng)V1.0》項目的軟件...證券之星消息,近日宏達電子(300726)新注冊了《場效應(yīng)晶體管MOSFE控制系統(tǒng)V1.0》項目的軟件著作權(quán)。今年以來宏達電子新注冊軟件著作權(quán)12個。結(jié)合公司2024年中報財務(wù)數(shù)據(jù),2024上半年公司在研發(fā)方面投入了6576.46萬元,同比減13.85%。數(shù)據(jù)來源:企查查以上內(nèi)容為證券之星好了吧!

珠海邁巨微電子取得場效應(yīng)晶體管器件相關(guān)專利金融界2024年10月26日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,珠海邁巨微電子有限責(zé)任公司取得一項名為“場效應(yīng)晶體管器件、制備方法及電池管理系統(tǒng)”的專利,授權(quán)公告號CN 112054024 B,申請日期為2020年9月。

晶豐明源取得結(jié)型場效應(yīng)晶體管及半導(dǎo)體器件專利金融界2024年9月30日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海晶豐明源半導(dǎo)體股份有限公司取得一項名為“結(jié)型場效應(yīng)晶體管及半導(dǎo)體器件”的專利,授權(quán)公告號CN 113097309 B,申請日期為2021年3月。

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芯聯(lián)集成申請屏蔽柵場效應(yīng)晶體管專利,提供晶體管新的制備方法金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司申請一項名為“一種屏蔽柵場效應(yīng)晶體管及其制備方法、電子裝置“公開號CN202410926299.7 ,申請日期為2024 年7 月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種屏蔽柵場效應(yīng)晶體管及其制備方法、電還有呢?

中國振華集團永光電子取得場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu)專利,...金融界2024年12月2日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠)取得一項名為“一種場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu)”的專利,授權(quán)公告號CN 222071945 U,申請日期為2023年12月。專利摘要顯示,一種場效應(yīng)晶體管驅(qū)動電路模塊封裝結(jié)構(gòu),屬等會說。

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智芯微電子取得橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管相關(guān)專利金融界2024年11月30日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,北京智芯微電子科技有限公司取得一項名為“橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管、制作方法、芯片及電路”的專利,授權(quán)公告號CN 118610266 B,申請日期為2024年8月。

上海積塔半導(dǎo)體申請場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件專利,...金融界2024年10月29日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件”的專利,公開號CN 118825074 A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本公開涉及一種場效應(yīng)晶體管及其制備方法、半導(dǎo)體器件,包括:襯底,襯底還有呢?

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杭州積海半導(dǎo)體申請場效應(yīng)晶體管及其制造方法專利,提高所形成器件...金融界2024年11月22日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州積海半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“場效應(yīng)晶體管及其制造方法”的專利,公開號CN 118983224 A,申請日期為2024年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種場效應(yīng)晶體管及其制造方法,在場效應(yīng)晶體管的制造方法中,先刻蝕第一等我繼續(xù)說。

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上海維安取得一種耗盡型場效應(yīng)晶體管器件及其制備方法專利金融界2024年9月30日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海維安半導(dǎo)體有限公司取得一項名為“一種耗盡型場效應(yīng)晶體管器件及其制備方法”的專利,授權(quán)公告號CN 113140463 B,申請日期為2021年4月。

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